Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN RF功率晶体管
Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN射频功率晶体管是375W分立式碳化硅基氮化镓HEMT，工作频率范围为直流至 2GHz。 可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。该优化大大降低了系统成本（放大器系列更少）和热管理成本。Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN射频功率晶体管采用行业标准气腔封装，支持脉冲和CW操作。
QPD1425 特性
频率范围：DC至2GHz
线性增益：20.6dB（1.3GHz时典型EVB性能）
输出功率：56.3dBm
漏极连续电流：19A
漏极效率：75.1%
工作电压：65V
工作温度范围：-40°C至+85°
P沟道极性
法兰安装NI-40包
具有CW和脉冲功能
无铅选项 (QPD1425)
符合RoHS指令
QPD1425应用
L波段雷达
测试仪器仪表
宽带或窄带放大器
GPS通信
航空电子设备
