--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SC70-6封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:FDG6303N-VB
丝印:VBK3215N
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:2个N沟道
- 额定电压:20V
- 额定电流:2A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):150mΩ @ 4.5V, 170mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):0.8V
- 封装类型:SC70-6
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应用简介:
FDG6303N-VB是一款双N沟道场效应晶体管(FET),适用于多种电子应用。它的主要特点包括低阈值电压和低导通电阻,使其能够在低电压和低功率条件下有效工作。其SC70-6封装适合空间受限的应用。
应用领域:
1. 电源开关模块:FDG6303N-VB可用于电源开关电路,如开关稳压器、DC-DC转换器和功率放大器,以实现高效的电能转换。
2. 移动设备:在手机、平板电脑和便携式消费电子设备中,这款晶体管可用于电源管理、电池充电和放电控制。
3. 无线通信:在射频(RF)前端模块、天线开关和功率放大器中,FDG6303N-VB可用于电路的控制和优化。
4. 自动控制系统:在自动控制和感测系统中,它可以用于执行开关操作和电流控制。
总之,FDG6303N-VB是一款双N沟道场效应晶体管,适用于多种电子领域,包括电源管理、移动设备、无线通信和自动控制系统等应用。其SC70-6封装使其适用于空间受限的应用。
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