型号：STD2NB60T4-VB
丝印：VBE165R04
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：650V
- 额定电流：4A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：2200mΩ @ 10V, 2750mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 封装类型：TO252
应用简介：
STD2NB60T4-VB是一款N沟道场效应晶体管（FET），具有高额定电压和适中电流特性，以及相对高的导通电阻。这使其适合在电源开关和电路保护应用中使用。
应用领域：
1. 电源开关模块：STD2NB60T4-VB可用于电源开关电路，如开关稳压器、DC-DC转换器和逆变器，以实现高效的电能转换和电源管理。
2. 电路保护：在电路保护器件中，这款晶体管可用于过电流保护、短路保护和电压保护，确保电路的安全运行。
3. 电机控制：在电机驱动电路和电机控制器中，它可以用于电机的启停和速度调节。
4. 电源因数校正：在电源因数校正电路中，STD2NB60T4-VB可用于改善电源因数，降低谐波失真。
总之，STD2NB60T4-VB是一款适用于电源开关和电路保护应用的N沟道场效应晶体管，适用于电源管理、电路保护、电机控制和电源因数校正等领域。其TO252封装使其适用于各种电路设计。
