型号：SI4848DY-T1-E3-VB
丝印：VBA1158N
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：150V
- 最大持续电流：5.4A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：80mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：2V
- 封装：SOP8
详细参数说明：
SI4848DY-T1-E3-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有 150V 的额定电压和最大持续电流为 5.4A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 80mΩ @ 10V 和 85mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）为 2V。
应用简介：
SI4848DY-T1-E3-VB 通常用于电源管理、电源开关和电源转换器应用中。由于其高额定电压和适度的电流承受能力，它适合用于需要较高电压的应用，如电源开关、电源逆变器、电源转换器和电机控制等。SOP8 封装使其易于集成到各种电子设备和电路中。这种型号的 MOSFET 可以用于各种领域的模块，包括工业控制、电源管理、电源放大器、电动工具、电动汽车和其他需要高性能 MOSFET 的应用。其低导通电阻和高电压承受能力使其在高电压应用中非常有用。
