--- 产品参数 ---
- 厂家 Sumitomo Electric Eudyna
- 型号 SGN19C210I2D
- 名称 高压-大功率GaN HEMT
- 产地 日本
- 封装 SMT
--- 产品详情 ---
型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN19C210I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作,并为您提供更高的增益。此新产品非常适合用于1.9GHz LTE设计要求因为它提供了高增益、长期可靠性和易用性。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Eudyna
型号 SGN19C210I2D
名称 高压-大功率GaN HEMT
产地 日本
封装 SMT
型号参数
高压操作:VDS=50V
高功率:50.5dBm(典型值)@Psat
高效率:65%(典型值)@Psat
功率增益:19dB(典型值)@f=1.6GHz
经验证的可靠性
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