--- 产品参数 ---
- 厂家 Sumitomo Electric Eudyna
- 型号 SGN19C160I2D
- 名称 高压-大功率GaN HEMT
- 产地 日本
- 封装 SMT
--- 产品详情 ---
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型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN19C160I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及用于50V操作的高功率L波段放大器的宽带宽,以及给你更高的增益。此新产品非常适合在1.8GHz到2.0GHz范围内使用W-CDMA和LTE设计要求,因为它提供高增益、长期可靠性以及易用性。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Eudyna
型号 SGN19C160I2D
名称 高压-大功率GaN HEMT
产地 日本
封装 SMT
型号参数
高压操作:VDS=50V
高功率:52.3dBm(典型值)@Psat
高效率:68%(典型值)@Psat
功率增益:18dB(典型值)@f=1.96GHz
经验证的可靠性
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