--- 产品参数 ---
- 厂家 Sumitomo Electric Eudyna
- 型号 EGN26C160I2D
- 名称 用于基站的功率GaN>GaN HEMT
- 产地 日本
- 封装 SMT
--- 产品详情 ---
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型号简介
Sumitomo的GaN HEMT EGN26C160I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及宽带宽,适用于50V操作的高功率放大器,并提供你的收益更高。此新产品非常适合在2.3GHz至2.7GHz范围内使用LTE设计要求,因为它提供了高增益、长期可靠性和易于使用。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Eudyna
型号 EGN26C160I2D
名称 用于基站的功率GaN>GaN HEMT
产地 日本
封装 SMT
型号参数
高压操作:VDS=50V
高功率:52.5dBm(典型值)@Psat
高效率:65%(典型值)@Psat
功率增益:16dB(典型值)@f=2.6GHz
经验证的可靠性
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