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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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EGN26C210I2D 高压 大功率GaN HEMT

GaN HEMT 大功率 高压
型号： EGN26C210I2D

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型号 EGN26C210I2D
  • 名称 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
  • 产地 日本
  • 封装 SMT

--- 产品详情 ---

EGN26C210I2D

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT EGN26C210I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及宽带宽，适用于50V操作的高功率放大器，并提供你的收益更高。此新产品非常适合在2.3GHz至2.7GHz范围内使用LTE设计要求，因为它提供了高增益、长期可靠性和易于使用。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型号                    EGN26C210I2D 
名称                    用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
产地                    日本
封装                    SMT


型号参数
高压操作：VDS=50V
高功率：53.0dBm（典型值）@Psat
高效率：62%（典型值）@Psat
功率增益：16dB（典型值）@f=2.6GHz
经验证的可靠性


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