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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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SGN26C320I2D 高压 大功率GaN HEMT

GaN HEMT 大功率 高压
型号： SGN26C320I2D

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型号 SGN26C320I2D
  • 名称 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
  • 产地 日本
  • 封装 SMT

--- 产品详情 ---

SGN26C320I2D 

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN26C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。此新产品非常适合用于2.6GHz LTE设计要求，因为它提供了高增益、长期可靠性和易用性。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型号                    SGN26C320I2D
名称                    用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
产地                    日本
封装                    SMT


型号参数
高压操作：VDS=50V
高功率：55.0dBm（典型值）@Psat
高效率：60%（典型值）@Psat
功率增益：16.0dB（典型值）@f=2.6GHz
经验证的可靠性
仅适用于Doherty放大器的峰值级


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