--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SC70-3封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: NTS4409NT1G-VB
丝印: VBK1270
品牌: VBsemi
参数:
- 封装类型: SC70-3
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 20V
- 最大电流: 4A
- 开态电阻: RDS(ON) = 45mΩ @ VGS=10V, VGS=12V
- 阈值电压: Vth = 1~3V
封装: SC70-3
**详细参数说明:**
1. **封装类型 (Package Type):** SC70-3,表明该器件使用SC70-3封装,具有三个引脚。
2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel,指示这是一个N沟道MOSFET。
3. **额定电压 (Rated Voltage):** 20V,说明器件能够正常工作的最大电压。
4. **最大电流 (Maximum Current):** 4A,表示器件能够承受的最大电流。
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 45mΩ @ VGS=10V, VGS=12V,说明在特定的栅源电压下,开态时的电阻。
6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 1~3V,表示在栅源电压作用下,器件从关态切换到开态所需的电压范围。
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**应用简介:**
NTS4409NT1G-VB是一款N-Channel MOSFET,适用于多种应用领域,包括但不限于:
1. **电源开关:** 由于其N沟道性质和较高的额定电流,可用于电源开关和电源逆变器。
2. **电池保护:** 适用于电池管理系统,用于保护电池免受过放电和过充电的影响。
3. **低功耗设备:** 由于其低额定电压和低阈值电压,适用于需要低功耗的电子设备。
4. **信号开关:** 用于开关信号线,例如在通信系统中。
请注意,在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册,以确保正确的使用和性能。
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