型号: SI7850DP-T1-E3-VB
丝印: VBQA1638
品牌: VBsemi
参数:
- 封装类型: DFN8(5X6)
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 60V
- 最大电流: 45A
- 开态电阻: RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1~3V
封装: DFN8(5X6)
**详细参数说明:**
1. **封装类型 (Package Type):** DFN8(5X6)，表明该器件使用DFN8(5X6)封装，尺寸为5mm x 6mm。
2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel，指示这是一个N沟道MOSFET。
3. **额定电压 (Rated Voltage):** 60V，说明器件能够正常工作的最大电压。
4. **最大电流 (Maximum Current):** 45A，表示器件能够承受的最大电流。
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。
6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 1~3V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的电压范围。
**应用简介:**
SI7850DP-T1-E3-VB是一款N-Channel MOSFET，适用于多种应用领域，包括但不限于：
1. **电源开关:** 由于其N沟道性质，可用于电源开关和电源逆变器。
2. **电机驱动:** 适用于直流电机和步进电机的高功率驱动电路，提供高效的电流控制。
3. **电源逆变器:** 用于太阳能逆变器和其他电源逆变器，提供高效的能量转换。
4. **电源管理模块:** 适用于各种高功率电源管理应用，如服务器电源、电动工具等。
请注意，在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册，以确保正确的使用和性能。
