--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO220封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:FDP047AN08A0-VB
丝印:VBM1808
品牌:VBsemi
参数:
- 封装类型:TO220
- 沟道类型:N—Channel
- 最大漏电压(Vds):80V
- 最大漏极电流(Id):100A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):7mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):2.7V
封装:TO220
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B7/4E/wKgZomV7q7KAHy3HAAP-CAwe6Vc508.png)
应用简介:
FDP047AN08A0-VB是一款N-Channel沟道MOSFET,适用于高功率、高电流的电路和模块设计,特别是在需要大电流开关和高性能N-Channel MOSFET的应用中。
领域模块应用:
1. **电源模块:** 适用于高功率开关电源、电源逆变器等模块设计,能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电机驱动模块:** 由于其高电流和低漏电压特性,可用于电机驱动和控制模块,提供可靠的电流输出和驱动性能,尤其在需要较高功率的应用中。
3. **电池保护模块:** 用于电池充放电管理电路,提供高效的电池管理和保护功能。
4. **高功率LED照明模块:** 在需要高亮度和高功率的LED照明系统中,FDP047AN08A0-VB可以用于开关电源设计,以实现高效的LED照明。
5. **电流控制模块:** 适用于需要对电流进行精确控制的高功率模块,如电流源、电流放大器等。
请注意,以上是一些典型的高功率应用场景,实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成FDP047AN08A0-VB时,建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。
为你推荐
-
RQJ0549FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:56
产品型号:RQJ0549FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0548FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:55
产品型号:RQJ0548FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0547FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:53
产品型号:RQJ0547FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0546FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:52
产品型号:RQJ0546FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0545FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:51
产品型号:RQJ0545FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0544FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:49
产品型号:RQJ0544FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0543FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:48
产品型号:RQJ0543FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0542FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:46
产品型号:RQJ0542FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0541FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:45
产品型号:RQJ0541FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0540FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 12:01
产品型号:RQJ0540FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel