--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT23封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: AM2323P-T1-PF-VB
丝印: VB2290
品牌: VBsemi
参数: SOT23;P—Channel沟道, -20V;-4A;RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.81V;
封装: SOT23
**详细参数说明:**
- **型号**: AM2323P-T1-PF-VB
- **丝印**: VB2290
- **品牌**: VBsemi
- **参数**:
- 封装: SOT23
- 沟道类型: P-Channel
- 额定电压: -20V
- 额定电流: -4A
- 开态电阻 (RDS(ON)): 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 门源极阈值电压 (Vth): -0.81V
**应用简介:**
AM2323P-T1-PF-VB是一款性能卓越的P沟道MOSFET,适用于多种电子应用,特别在以下领域模块中具有优越性能:
1. **电源开关模块:**
由于其P沟道特性,适用于电源开关模块,可实现可靠的电源开关控制。
2. **电池管理系统:**
适用于电池管理系统,能够提供可靠的电池充放电控制,延长电池寿命。
3. **负载开关:**
用于负载开关,提供高效的电流控制和电源管理。
4. **低功耗设备:**
由于其低阈值电压和低功耗特性,适用于低功耗设备,如便携式电子产品。
请注意,上述应用建议仅为参考,具体应用需根据项目需求和设计要求进行调整。
为你推荐
-
60N06L-TF3-T-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:18
产品型号:60N06L-TF3-T-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
60N06L-TA3-T-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:17
产品型号:60N06L-TA3-T-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
60N05-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:15
产品型号:60N05-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
60N04-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:14
产品型号:60N04-VB TO263 封装:TO263 沟道:Single-N -
60N04-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:13
产品型号:60N04-VB TO252 封装:TO252 沟道:Single-N -
60N04KUG-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:12
产品型号:60N04KUG-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
60N03P-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:11
产品型号:60N03P-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
60N03H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:10
产品型号:60N03H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
60N03GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:08
产品型号:60N03GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
60N03GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:07
产品型号:60N03GJ-VB 封装:TO251 沟道:Single-N