--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: IRF8736TRPBF-VB
丝印: VBA1303
品牌: VBsemi
参数: SOP8;N—Channel沟道, 30V;18A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.72V;
封装: SOP8
**详细参数说明:**
- **型号**: IRF8736TRPBF-VB
- **丝印**: VBA1303
- **品牌**: VBsemi
- **参数**:
- 封装: SOP8
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 30V
- 额定电流: 18A
- 开态电阻 (RDS(ON)): 5mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门源极阈值电压 (Vth): 1.72V
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B4/96/wKgZomVv8NqATmuKAAH3WCc4dtU181.png)
**应用简介:**
IRF8736TRPBF-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种电子应用,特别在以下领域模块中表现卓越:
1. **功率放大模块:**
由于其高电流和低开态电阻特性,适用于功率放大模块,如音频放大器和功率放大电路。
2. **电源开关模块:**
用于电源开关模块,实现高效的电源开关控制,提高系统能效。
3. **电机驱动模块:**
适用于电机驱动模块,可用于各种电机控制应用,包括直流电机和步进电机。
4. **电源逆变器:**
在电源逆变器中具有良好的性能,可用于太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
请注意,上述应用建议仅为参考,具体应用需根据项目需求和设计要求进行调整。
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