--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品详细参数说明
- **型号:** SQ4920EY-T1-GE3-VB
- **丝印:** VBA3316
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOP8
#### 参数:
- **沟道类型:** N—Channel(两个)
- **最大沟道电压:** 30V
- **最大持续电流:** 8.5A
- **导通电阻:** RDS(ON)=20mΩ @ VGS=10V, VGS=20V(每个沟道)
- **阈值电压:** Vth=1.5V
### 应用简介
该产品是一款SOP8封装的双N-沟道场效应晶体管(N-Channel MOSFET),具有高电流承受能力和低导通电阻,适用于要求高性能的电源和开关电路设计。
### 产品应用领域
1. **电源模块:** 可用于电源开关模块,提供高效、稳定的电源输出。
2. **电机驱动:** 适用于电机控制领域,如电动工具、电动汽车等,实现高效的电机驱动。
3. **DC-DC 变换器:** 在DC-DC变换器中发挥作用,提高能源转换效率。
4. **LED照明:** 可用于LED照明控制,提高照明系统的效能和调光性能。
### 使用注意事项
1. **电压限制:** 确保工作电压不超过30V,以防止损坏器件。
2. **电流控制:** 在规定的电流范围内使用,避免超过最大持续电流,以防止过热。
3. **温度控制:** 确保在规定的温度范围内使用,以维持器件的性能和寿命。
4. **静电防护:** 在操作过程中采取静电防护措施,避免静电损害。
5. **阈值电压:** 注意阈值电压范围,确保在适当的电压条件下使用。
通过合理应用和注意事项的遵守,SQ4920EY-T1-GE3-VB可在各种电源、电机控制和LED照明系统中发挥关键作用,提高系统性能和效率。
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