--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**IRF7907TRPBF-VB 详细参数说明:**
- **品牌:** VBsemi
- **丝印:** VBA3316
- **封装:** SOP8
- **参数:**
- 2个N—Channel沟道
- 额定电压:30V
- 最大电流:8.5A
- RDS(ON):20mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.5V
**应用简介:**
IRF7907TRPBF-VB是一款SOP8封装的双N沟道场效应晶体管,适用于中等电流和中等电压的功率开关和放大应用。
**领域模块及作用:**
1. **电源开关:** 用于电源模块中的功率开关,提供可靠的电源开关解决方案。
2. **电机驱动:** 适用于小型电机驱动,例如在电动工具和家用电器中的电机控制。
3. **LED驱动:** 在LED照明领域中可用于驱动LED,提供高效的电流控制。
**使用注意事项:**
1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的最大电压和电流,以防止器件损坏。
2. **温度控制:** 在操作过程中保持适当的温度,避免过热。
3. **静电防护:** 在处理和安装时采取防静电措施,以防止静电损害。
4. **阈值电压:** 确保正确的阈值电压,以确保器件在正常工作范围内。
以上信息仅供参考,具体应用需根据实际情况调整。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N