ADRF5019BCPZN 是一款采用硅工艺制造的非反射式单刀双掷 (SPDT) RF 开关。
ADRF5019BCPZN的工作频率范围为 100 MHz 至 13 GHz，在 8 GHz 时具有优于 0.8 dB 的插入损耗和 45 dB 隔离。ADRF5019 采用非反射设计，其 RF 端口在内部终接至 50 Ω。
ADRF5019 开关需要 +3.3 V 和 −2.5 V 的双电源电压，以及正控制电压输入。此开关采用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容型和低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容型控制。
ADRF5019 还可使用单个正电源电压 (VDD) 工作。负电源电压 (VSS) 连接至地。即使在单电源工作模式下，ADRF5019 也能覆盖 100 MHz 至 13 GHz 的工作频率范围，并保持良好的功率处理性能。更多详细信息请参见“Applications Information”部分。
ADRF5019 的引脚与 HMC1118 兼容，后者是低截止频率版本，可在 9 kHz 至 13.0 GHz 的频率范围内工作。
ADRF5019 采用 16 引脚引线框架芯片规模封装 (LFCSP)，可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
ADRF5019BCPZN应用
- 测试仪表
- 微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT)
- 光纤和宽带电信
TGA2590-CP：卓越的6-12 GHz宽带MMIC功率放大器，满足电子晶圆和雷达应用需求
华沣恒霖电子，作为业界领先的专业分销商，深知在电子晶圆和雷达应用领域，对于高性能、高可靠性的宽带功率放大器的需求日益增长。今天，我们非常荣幸地为您推荐TriQuint的TGA2590-CP，一款专为满足这些需求而设计的6-12 GHz宽带MMIC功率放大器。
TGA2590-CP采用TriQuint先进的0.25um GaN on SiC工艺制造，确保了出色的性能和稳定性。它覆盖6至12 GHz的频带范围，提供高达30 W的饱和输出功率，具有>22dB的大信号增益和>30%的功率添加效率。这些性能指标使得TGA2590-CP成为电子晶圆和雷达应用的理想选择。
TGA2590-CP采用铜基封装，可以螺栓固定或共晶连接，以实现卓越的热管理。这种封装方式使得放大器能够在高温条件下长时间稳定工作，进一步提高了其可靠性。
TGA2590-CP完全匹配50欧姆，两个射频端口都有直流阻断帽，可实现简单的系统集成。这种设计使得放大器能够快速方便地融入各种电子晶圆和雷达系统。
