--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT23-6封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品型号:** AO6403-VB
**丝印:** VB8338
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 封装:SOT23-6
- 沟道类型:P—Channel
- 最大电压:-30V
- 最大电流:-4.8A
- 导通电阻:RDS(ON) = 49mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth = -1~-3V
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B5/19/wKgZomVyyQqAJCSGAAGEANEJ4_A397.png)
**应用简介:**
AO6403-VB是一款P—Channel沟道的场效应管,适用于SOT23-6封装。具有较高的负载电流和低导通电阻,适用于各种低压驱动应用。
**主要应用领域:**
1. **电源模块:** 用于电源开关,能够在低压条件下提供可靠的开关控制。
2. **电源管理模块:** 适用于各种电源管理电路,帮助实现有效的电源控制。
3. **驱动模块:** 作为驱动器的一部分,用于提供稳定的电流和电压输出。
**作用:**
- 提供可靠的P—Channel沟道场效应管,适用于低压条件下的开关控制。
- 用于各种电源模块、电源管理模块和驱动模块,提供有效的电源控制和电流驱动。
**使用注意事项:**
1. 严格按照数据手册规定的电气特性和工作条件使用。
2. 注意封装类型为SOT23-6,正确安装在电路板上。
3. 确保正确定向连接,防止反接。
4. 需要注意阈值电压范围,以确保在正确的电压条件下工作。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N