--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**详细参数说明:**
- 产品型号: 640N06L-VB
- 丝印: VBE1638
- 品牌: VBsemi
- 封装: TO252
- 沟道类型: N—Channel
- 额定电压: 60V
- 最大电流: 45A
- 开启电阻: RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.8V
**应用简介:**
该器件适用于高功率、高电流的应用,特别是需要N—Channel沟道的模块。具体应用包括但不限于电源模块、电机驱动和功率放大器。
**主要应用领域模块:**
1. 电源模块
2. 电机驱动模块
3. 功率放大器模块
**作用:**
- 电源模块:提供高效的电源开关控制,适用于高功率需求。
- 电机驱动模块:控制电机的高电流和功率。
- 功率放大器模块:实现高功率放大,适用于音频和射频应用。
**使用注意事项:**
1. 请确保在规定的电压范围内操作。
2. 避免超过最大电流限制。
3. 在设计中考虑散热,以确保器件正常工作温度。
4. 遵循厂商提供的应用电路设计建议。
5. 注意防静电措施,以防止损坏器件。
为你推荐
-
6680M-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:51
产品型号:6680M-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
6680GM-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:50
产品型号:6680GM-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
6680BGM-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:49
产品型号:6680BGM-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
6680AGM-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:48
产品型号:6680AGM-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
6679-VB TO252一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:46
产品型号:6679-VB TO252 封装:TO252 沟道:Single-P -
6679S-VB TO263一款Single-P沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:43
产品型号:6679S-VB TO263 封装:TO263 沟道:Single-P -
6679S-VB TO252一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:41
产品型号:6679S-VB TO252 封装:TO252 沟道:Single-P -
6679P-VB一款Single-P沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:39
产品型号:6679P-VB 封装:TO220 沟道:Single-P -
6679H-VB一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:37
产品型号:6679H-VB 封装:TO252 沟道:Single-P -
6679GS-VB一款Single-P沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:36
产品型号:6679GS-VB 封装:TO263 沟道:Single-P