--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SC70-3封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**WNM2021-VB 详细参数说明和应用简介:**
**参数说明:**
- 封装:SC70-3
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压(VDS):20V
- 额定电流(ID):4A
- RDS(ON):45mΩ @ VGS=10V, VGS=12V
- 门源电压阈值(Vth):1~3V
**应用简介:**
WNM2021-VB是一款SC70-3封装的N-Channel MOSFET,具有低电压和低导通电阻的特点,适用于各种便携式电子设备和低功耗应用。
**主要应用领域模块:**
1. **电源管理模块:** WNM2021-VB可用于便携式设备中的电源管理模块,实现高效的电源开关控制,降低功耗。
2. **电池保护模块:** 在移动设备中,WNM2021-VB可用于电池保护电路,确保电池充电和放电过程中的安全和稳定。
3. **信号开关模块:** 由于其低阻态时的导通电阻,可用于实现在低电压条件下的信号开关,提高信号传输的效率。
**作用:**
- 提供可靠的电源开关控制,降低功耗。
- 用于电池管理,确保电池安全和稳定工作。
- 在信号开关中,提供低阻态时的导通,增加信号传输效率。
**使用注意事项:**
1. **电压限制:** 确保在规定的电压范围内操作,不要超过最大额定电压(20V)。
2. **电流限制:** 不要超过最大允许电流(4A),以避免过热和损坏。
3. **静电防护:** 在操作过程中采取静电防护措施,以免损坏敏感的MOSFET器件。
4. **门源电压:** 注意门源电压(Vth)的适用范围,确保在规定范围内正常工作。
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