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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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20N3LG-TO251-VB一款N沟道TO251封装MOSFET应用分析

型号: 20N3LG-TO251-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 TO251封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**产品型号:** 20N3LG-TO251-VB

**丝印:** VBFB1311

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装:TO251
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:30V
- 额定电流:70A
- 导通电阻:RDS(ON)=6mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=1.92V

**应用简介:**
适用于多个领域模块,发挥以下作用:
1. **电源开关:** 在电源开关模块中,作为N-Channel功率开关,支持高电流和低导通电阻的电源开关控制。
2. **电机控制:** 在电机驱动模块中,通过高电流和低导通电阻,实现有效的电机控制。
3. **电流逆变器:** 用于构建电流逆变电路,适用于高电流和低电阻的电力应用。

**使用注意事项:**
1. 请确保操作在额定电压和电流范围内,避免超过规定数值。
2. TO251封装需要考虑适当的散热和布局设计,以维持正常工作温度。
3. 在设计中考虑阈值电压Vth=1.92V,确保适当的信号电平。
4. 根据具体应用场景采取适当的保护机制,以应对潜在的过电流和过压情况。

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