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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NTF5P03T3G-VB一款P沟道SOT223封装MOSFET应用分析

型号: NTF5P03T3G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 P沟道
  • 封装 SOT223封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**NTF5P03T3G-VB**

**丝印:** VBJ2456  
**品牌:** VBsemi  
**参数:** SOT223;P—Channel沟道, -40V;-6A;RDS(ON)=42mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=-0.83V  

**封装:** SOT223  

**详细参数说明:**  
- **沟道类型:** P—Channel  
- **最大承受电压:** -40V  
- **最大电流:** -6A  
- **导通电阻:** 42mΩ(在VGS=10V时),35mΩ(在VGS=20V时)  
- **阈值电压:** -0.83V  

**应用简介:**  
该器件适用于需要负载开关和功率逆变的模块,提供可靠的 P 沟道功率开关功能。主要应用领域包括但不限于电源管理、电池保护、和 DC-DC 变换器。

**作用:**  
- 提供高效的 P 沟道功率开关功能。
- 适用于需要负载开关和功率逆变的应用。

**使用领域模块:**
1. **电源管理模块:** 用于构建高效的电源开关,稳定输出电压。
2. **电池保护模块:** 在电池管理系统中,用于实现快速的电池断路保护。
3. **DC-DC 变换器模块:** 适用于直流到直流的电能转换,提供高效的能量传输。

**使用注意事项:**
1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的最大电压和电流。
2. **极性注意:** 注意 P 沟道器件的负电压特性。
3. **静电防护:** 在处理和安装时采取防静电措施,以免损坏器件。

如有需要进一步了解或有其他问题,请告诉我。

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