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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NTB75N03-06T4G-VB一款N沟道TO263封装MOSFET应用分析

型号: NTB75N03-06T4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 TO263封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**NTB75N03-06T4G-VB**

**丝印:** VBL1303  
**品牌:** VBsemi  
**参数:** TO263;N—Channel沟道, 30V;170A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=1.7V  

**封装:** TO263  

**详细参数说明:**  
- **沟道类型:** N—Channel  
- **最大承受电压:** 30V  
- **最大电流:** 170A  
- **导通电阻:** 3mΩ(在VGS=10V时),3mΩ(在VGS=20V时)  
- **阈值电压:** 1.7V  

**应用简介:**  
该器件为 N—Channel 沟道的 MOSFET,适用于需要控制正向电流的高功率模块。可用于功率放大、电源开关和电流调节等高电流应用。

**作用:**  
- 控制正向电流,适用于高功率模块。
- 在功率放大和电源开关电路中发挥关键作用。

**使用领域模块:**
1. **功率放大模块:** 用于构建高功率的放大电路,适用于音频放大器等应用。
2. **电源开关模块:** 在需要高电流开关的电源系统中使用,确保可靠的电源开关。
3. **电流调节模块:** 用于高电流应用,确保系统正常运行。

**使用注意事项:**
1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的最大电压和电流。
2. **温度控制:** 注意器件工作时的温度,避免过热。
3. **适当的散热:** 对于高功率应用,确保提供足够的散热。

如有需要进一步了解或有其他问题,请告诉我。

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