**FDD5690-VB 详细参数说明和应用简介：**
- **参数：**
- 丝印：VBE1638
- 品牌：VBsemi
- 封装：TO252
- 类型：N—Channel沟道
- 额定电压：60V
- 额定电流：45A
- RDS(ON)：24mΩ @ VGS=10V, 20V
- 阈值电压：1.8V
- **应用简介：**
- FDD5690-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于中高功率开关和电源控制。
- **应用领域：**
- 中高功率开关模块
- 电源控制模块
- **作用：**
- 在中高功率开关模块中，用于控制电路的导通和切断，适用于中高功率设备。
- 在电源控制模块中，用于实现电源的开关和调节，适用于中大功率电子设备。
- **使用注意事项：**
- 丝印VBE1638对应FDD5690-VB，确保正确识别。
- 在规定的电压和电流范围内使用，以防损坏设备。
- 遵循制造商提供的电路设计和应用建议。
