--- 产品参数 ---
- 沟道 N+P沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**详细参数说明:**
- 型号:IRF7307TRPBF-VB
- 丝印:VBA5325
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOP8
- 类型:N+P-Channel沟道
- 额定电压:±30V
- 额定电流:9A (N-Channel) / -6A (P-Channel)
- 导通电阻:15mΩ (N-Channel) / 42mΩ (P-Channel) @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:±1.65V
**应用简介:**
这是一款集成了N-Channel和P-Channel沟道的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于SOP8封装。其特点包括±30V的额定电压,分别为9A和-6A的额定电流,低导通电阻等,使其适用于多种功率电子应用。
**应用领域:**
该器件常用于电源开关、功率放大、电机驱动等领域的模块。在这些模块中,它可以用于功率调节、反向电流保护等功能,提供高效的电能转换和控制。
**作用:**
- 在电源开关模块中,可用于开关电源的功率调节和控制。
- 在功率放大模块中,可用于信号放大和功率放大的应用。
- 在电机驱动模块中,可用于电机的双向驱动和控制。
**使用注意事项:**
- 严格按照数据手册提供的最大额定值操作,以防止器件损坏。
- 注意器件的静电敏感性,采取适当的防护措施。
- 在设计中考虑散热和温度管理,确保器件在正常工作温度范围内。
- 遵循适当的焊接和安装标准,以确保可靠的电气连接和机械强度。
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