--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO220封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**FQP13N06L-VB 详细参数说明:**
- **品牌:** VBsemi
- **型号:** FQP13N06L-VB
- **丝印:** VBM1680
- **封装:** TO220
- **类型:** N-Channel 沟道 MOSFET
- **电压等级:** 60V
- **电流等级:** 28A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 80mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源电压阈值(Vth):** 1.8V
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/15/wKgaomXS_PqAcjlSAAP9YFnQG_E619.png)
**应用简介:**
FQP13N06L-VB是一款TO220封装的N-Channel沟道MOSFET。其主要特点包括高电压(60V)、高电流(28A)以及低导通电阻(80mΩ)。适用于要求高性能的电子模块。
**应用领域:**
1. **电源模块:** 用于开关电源和稳压器,提供高效能的功率转换。
2. **驱动模块:** 作为电机驱动器的一部分,实现对电机的有效控制。
3. **照明控制:** 在LED照明系统中,用于调节亮度和控制开关。
**作用:**
- 提供高效能的功率转换。
- 实现对电机的有效控制。
- 用于调节照明系统的亮度和开关控制。
**使用注意事项:**
1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的电压和电流限制,以免损坏器件。
2. **散热:** 在高功率应用中,需要适当的散热措施,确保器件在正常工作温度范围内。
3. **防静电措施:** 在处理和安装过程中采取防静电措施,以防止静电放电对器件造成损害。
以上为简要说明,具体的设计和应用需根据具体模块和电路要求进行。
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