--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**TPC8107&9-VB**
- **丝印:** VBA2309
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOP8
- 沟道类型:P—Channel
- 最大沟道电压(VDS):-30V
- 最大漏极电流(ID):-11A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1.5V
**详细参数说明:**
TPC8107&9-VB 是一款P—Channel MOSFET,封装为SOP8,具有最大-30V的沟道电压和-11A的最大漏极电流。其静态漏极-源极电阻为11mΩ,阈值电压为-1.5V。
**应用简介:**
TPC8107&9-VB适用于各种电源管理和开关电源应用。由于其P—Channel沟道特性,它可以在负电压环境下工作,常见的应用领域包括电源开关、DC-DC转换器和功率逆变器等。
**领域模块应用:**
1. **电源开关模块:** 在电源开关模块中,TPC8107&9-VB可用于实现高效能耗的电源开关,提供可靠的电源控制。
2. **DC-DC转换器:** 作为DC-DC转换器的一部分,该器件能够实现电能的高效转换,广泛应用于移动设备和电源管理系统。
3. **功率逆变器:** 在功率逆变器中,TPC8107&9-VB可用于控制逆变电路,将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能发电系统等。
**作用:**
- 提供可靠的电源开关和控制。
- 实现高效的DC-DC电能转换。
- 控制功率逆变器,将直流电源转换为交流电源。
**使用注意事项:**
1. 遵循数据手册中的最大额定值,以确保在规定条件下使用。
2. 注意散热,确保器件工作在安全的温度范围内。
3. 在设计中考虑阈值电压,以确保在正确的电压条件下工作。
4. 确保正确的封装和引脚连接,以避免引起电路连接问题。
为你推荐
-
AO7413-VB一款Single-P沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-04 14:55
产品型号:AO7413-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-P -
AO7410-VB一款Single-N沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-04 14:54
产品型号:AO7410-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-N -
AO7404-VB一款Single-N沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-04 14:51
产品型号:AO7404-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-N -
AO7403-VB一款Single-P沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-04 14:50
产品型号:AO7403-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-P -
AO7402-VB一款Single-N沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-04 14:48
产品型号:AO7402-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-N -
AO6810-VB一款Dual-N+N沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-04 14:47
产品型号:AO6810-VB 封装:SOT23-6 沟道:Dual-N+N -
AO6802-VB一款Dual-N+N沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-04 14:46
产品型号:AO6802-VB 封装:SOT23-6 沟道:Dual-N+N -
AO6801E-VB一款Dual-P+P沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-04 14:43
产品型号:AO6801E-VB 封装:SOT23-6 沟道:Dual-P+P -
AO6706-VB一款Dual-N+N沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-04 14:41
产品型号:AO6706-VB 封装:SOT23-6 沟道:Dual-N+N -
AO6704-VB一款Dual-N+N沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-04 14:39
产品型号:AO6704-VB 封装:SOT23-6 沟道:Dual-N+N