--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO220F封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**12N65-TO220F-VB**
- **丝印:** VBMB165R12
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:TO220F
- 沟道类型:N—Channel
- 最大沟道电压(VDS):650V
- 最大漏极电流(ID):12A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):680mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):3.5V
**详细参数说明:**
12N65-TO220F-VB 是一款N—Channel MOSFET,封装为TO220F,具有最大650V的沟道电压和12A的最大漏极电流。其静态漏极-源极电阻为680mΩ,阈值电压为3.5V。
**应用简介:**
12N65-TO220F-VB广泛应用于高压电源应用,如开关电源、电源逆变器和电机驱动器等。
**领域模块应用:**
1. **开关电源模块:** 在开关电源模块中,12N65-TO220F-VB可用于实现高压电源开关,提供可靠的电源控制。
2. **电源逆变器:** 作为电源逆变器的一部分,该器件能够控制逆变电路,将直流电源转换为交流电源,适用于高压电源系统。
3. **电机驱动:** 在电机驱动器中,该器件可用于高压电机的驱动和控制,适用于工业自动化和电动汽车等领域。
**作用:**
- 提供高压电源开关和控制。
- 用于高压电源逆变器,将直流电源转换为交流电源。
- 高压电机的驱动和控制。
**使用注意事项:**
1. 遵循数据手册中的最大额定值,以确保在规定条件下使用。
2. 注意散热,确保器件工作在安全的温度范围内。
3. 在设计中考虑阈值电压,以确保在正确的电压条件下工作。
4. 确保正确的封装和引脚连接,以避免引起电路连接问题。
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