Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET
Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET是基于独特的“共源共栅”电路配置的1200V、23mΩ器件。在此配置中，常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装，从而产生常关SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换Si IGBT、Si超级结器件或SiC MOSFET时需要最少的重新设计。这些器件采用节省空间的D2PAK-7L封装（实现自动化组装），表现出超低栅极电荷和卓越的反向恢复特性。Qorvo UF4SC120023B7S G4 SiC FET非常适合开关感应负载和需要标准栅极驱动的应用。
特点
23mW典型导通电阻
+175°C最高工作温度
出色的243nC反向恢复
低1.2V体二极管
低37.8nC栅极充电
4.8V典型阈值电压，允许0V至15V驱动
低本征电容
HBM 2级和CDM C3级ESD保护
D2PAK-7L封装可实现更快的切换、干净的栅极波形
符合无铅、无卤和危害性物质限制指令
应用程序
电动汽车充电
PV逆变器
开关模式电源
功率因数校正模块
感应加热
