QPC2511 30W GaN SP3T开关

Qorvo QPC2511 30W GaN SP3T开关
Qorvo QPC2511 30W GaN（氮化镓）SP3T开关是一款单刀三掷开关，采用专有的QGaN15 0.15µm碳化硅基氮化镓生产工艺制造而成。该器件专门设计用于高频和射频功率 (30W) S波段和X波段传输线性功率处理。其余为宽带 (≥11GHz) 低通接收路径，可在高达10W的功率下线性工作。QPC2511具有低插入损耗（X波段约为 1.5dB）和20dB隔离，因此非常适合用于各种国防和商业平台的高频和射频功率开关应用。
Qorvo QPC2511 30W GaN SP3T开关采用4.0mm x 4.0mm气腔层压型封装，不含铅，符合RoHS指令。

QPC2511 特性
频率范围：2GHz至11GHz
10W输入功率，用于宽带Rx
30W输入功率，用于S波段和X波段Tx
插入损耗：1.5dB
隔离：20dB（典型值）
开关速度：50ns
控制电压：0V, -30V
工作温度范围：-40°C至+85°C
4.0mm x 4.0mm x 1.48mm气腔层压型封装
无卤、无铅，符合RoHS指令