Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管
Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管是一款500W (P3dB) 预匹配分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN on SiC HEMT)，工作频率范围为直流至1.7GHz。QPD1016L在1.3GHz时提供18dB线性增益，在3dB压缩时具有67%漏极效率。该器件可支持脉冲和线性操作。
QPD1016L GaN射频晶体管采用行业标准气腔NI-780封装，非常适合用于IFF、航空电子和民用雷达以及测试仪器仪表。QPD1016L封装包括一个耳状法兰，用于螺栓旋紧安装。
QPD1016L GaN射频晶体管 特性
频率范围：直流至1.7GHz
输出功率 (P3dB)：537W（1.3GHz时）
线性增益：18dB（1.3GHz时）
功率附加效率 (PAE)：67%（3dB时）
饱和输出功率 (PSAT)：57.3dBm
漏极电压 (VD)：+50V
漏极偏置电流 (IDQ)：1000mA
支持CW和PWM运行
工作温度范围：-40°C至+85°C
Eared NI-780气腔封装
无卤、无铅、符合RoHS指令
QPD1016L GaN射频晶体管 应用
