Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管
Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用DFN封装。这些射频晶体管是单级、不匹配晶体管，能够在+48V电压下提供20W的P3dB输出功率。QPD0007晶体管的工作频率范围为直流至5GHz，3.5GHz时的漏极效率为73%。典型应用包括WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、通用、小型蜂窝、有源天线和5G大规模MIMO。
QPD0007 GaN射频晶体管特性
工作频率范围：直流至5GHz
工作漏极电压：48V
输出功率 (P3dB)：20W（最大值，3.6GHz时）
漏极效率：73%（最大值，3.5GHz时）
效率：19dB，3.5GHz时调低增益
4.5mm x 4mm DFN封装
QPD0007 GaN射频晶体管应用
WCDMA/LTE
微蜂窝基站
微蜂窝基站
小型蜂窝
有源天线
5G大规模MIMO
通用型应用
