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QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMT

型号: QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMT

--- 产品参数 ---

  • 工作温度 85

--- 产品详情 ---

Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMT
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) HEMT(高电子迁移率晶体管)是一款非对称双路功率放大器晶体管,适合用于Doherty应用。QPD0011的频率范围为3.3GHz至3.6GHz,最大Doherty增益为13.3db。每条路径中均包含一个单级放大器晶体管。QPD0011采用Doherty配置,平均功率为15W。
Qorvo QPD0011碳化硅基氮化镓HEMT采用紧凑的7.0mm x 6.5mm DFN封装。

 

QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMT特性
工作频率范围:3.3GHz至3.6GHz
工作漏极电压 (VD):+48V
最高Doherty峰值功率:90W(3.5GHz时)
最高Doherty漏极效率:48%(3.5GHz时)
最大Doherty增益:13.3dB(3.5GHz时)
饱和时输出功率 (PSAT):49.5dBm
静态漏极电流 (IDQ):65mA
7.0mm x 6.5mm DFN封装
无卤、无铅,符合RoHS指令
 

QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMT应用
WCDMA和LTE
微蜂窝基站
微蜂窝基站
小型蜂窝
有源天线
5G大规模MIMO
非对称Doherty应用

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