ADMV1139ABBCZ 特性
芯片中集成了上变频器（变送器）、下变频器（接收器）和带有 4 倍乘法器的 LO 链
射频频率范围：37GHz 至 50GHz
变送器和接收器之间具有可选的片内射频开关端口
LO 输入频率范围：7.25GHz 至 12.05GHz
上变频器和下变频器的 2 种工作模式
差分基带 I/Q 直接转换（基带模式）
具有可选片内混合功能的复杂 IF 操作（IF 模式）
接收模式下可编程基带输出共模电压为 0.7V 至 1.5V，可通过 SPI 或物理引脚设置
可编程混频器栅极电压可在发送模式下适应 0V 至 1.5V 的基带输入共模
匹配的 50Ω 阻抗、单端射频输入和输出以及射频开关端口
匹配的 50Ω 阻抗、单端 LO 输入
低相位变化与增益控制
上变频模式
边带抑制和载波馈通优化
用于 LO 馈通校准的包络检波器
下变频模式
镜像抑制和 I/Q 不平衡优化
基带 I/Q 直流偏移校正
用于接收器增益设置的接收器混频器功率检波器
LO 链特点
可变增益支持各种 LO 输入电平
用于 LO 同步的 360° 移相器
I/Q 相位校正
通过外部引脚实现快速 TDD 切换时间
用于阵列校准的校准探头
可通过 3 线或 4 线 SPI 进行编程，兼容ADMV4928 和 ADMV4828 接口
6mm × 6.5mm BGA 封装（参见数据手册的“外形尺寸”部分）
更多细节
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ADMV1139A 是一款绝缘体上硅 (SOI)、微波上变频器和下变频器，针对 5G 无线电设计进行了优化，工作频率范围为 37GHz 至 50GHz。
上变频器和下变频器都提供两种频率转换模式。一种模式是变频自和/或变频至复中频 (IF) 信号，然后通过可选的片内 90° IF 混合，称为 IF 模式。
另一种模式是从和/或向差分基带同相/正交 (I/Q) 输入和输出的直接转换，称为基带模式。I/Q 基带输出共模电压可在 0.7V 至 1.5V 之间进行编程。
当该套件用作镜像抑制下变频器时，在校准之前，不需要的镜像项通常被抑制到 26dBc。ADMV1139A 提供平方律功率检波器，允许监控下变频器混频器输入端的功率电平。
RF 接收输入、RF 发射输出和本地振荡器 (LO) 接口都是单端的，并且匹配到 50Ω。片内 RF 开关提供了将发射和接收 RF 端口组合在一起的选项，用于时分双工 (TDD) 应用。
串行端口接口 (SPI) 可调整 LO 链 I/Q 相位，以实现优化边带抑制。此外，当不需要载波馈通优化时，SPI 允许关闭输出包络检波器，以降低功耗。
ADMV1139A 上变频器和下变频器采用紧凑的耐热性能增强型 6mm ×6.5mm 球栅阵列 (BGA) 封装。这种 BGA 封装能够从封装顶部对 ADMV1139A 进行散热，以实现最高效的散热。ADMV1139A 的工作温度范围为 −40°C 至 +95°C TC。
ADMV1139ABBCZ 应用
毫米波 5G 应用
点对点微波射频
雷达和电子战系统
仪器仪表和自动测试设备 (ATE)
