ADMV1128ABBCZ 特性
芯片中集成了上变频器（变送器）、下变频器（接收器）和带有 2× 或 4× 乘法器的 LO 链
射频频率范围：24GHz 至 29.5GHz
LO 输入频率范围：x2 模式为 8GHz 至 15GHz，x4 模式为 5GHz 至 7.5GHz
上变频器和下变频器的 2 种工作模式
差分基带 I/Q 直接转换（基带模式）
具有可选片内混合功能的复杂 IF 操作（IF 模式）
接收模式下可编程基带输出共模电压为 0.7V 至 1.5V，可通过 SPI 或物理引脚设置
可编程混频器栅极电压可在发送模式下适应 0V 至 1.5V 的基带输入共模
匹配的 50Ω 阻抗、单端射频输入和输出以及射频开关端口
匹配的 50 Ω 阻抗、单端 LO 输入
低相位变化与增益控制
上变频模式
边带抑制和载波馈通优化
用于 LO 馈通校准的包络检波器
下变频模式
镜像抑制和 I/Q 不平衡优化
基带 I/Q 直流偏移校正
用于接收器增益设置的接收器混频器功率检波器
LO 链特点
可变增益以适应各种 LO 驱动强度值
用于 LO 同步的 360° 移相器
可编程 LO 谐波抑制滤波器
I/Q 相位校正
通过外部引脚实现快速 TDD 切换时间
用于阵列校准的校准探头
完全可通过 3 线或 4 线 SPI 接口进行编程，并兼容 ADMV4828 接口
6mm × 6.5mm，BGA 封装（参见外形尺寸部分）
ADMV1128ABBCZ 更多细节
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ADMV1128ABBCZ是一款隔离器上硅 (SOI)、微波、上变频器和下变频器，并针对在 24GHz 至 29.5GHz 频率范围内运行的 5G 射频设计进行了优化。
上变频器和下变频器都提供两种频率转换模式。一种模式是从和/或向单端或复杂的中频 (IF) 信号进行转换，然后通过片内 90° IF 混合，称为 IF 模式。
另一种模式是从和/或向差分基带同相/正交 (I/Q) 输入和输出的直接转换，称为基带模式。I/Q 基带输出共模电压在 0V 和 1.5V 之间可编程。SPI 提供正交相位的微调，以优化 I/Q 解调性能。
当该套件用作镜像抑制下变频器时，在校准之前，不需要的镜像项通常被抑制到 24dBc。ADMV1128A 提供平方律功率检波器，允许监控下变频器混频器输入端的功率电平。
RF 接收输入、RF 发射输出和本地振荡器 (LO) 接口都是单端的，并且匹配到 50Ω。片内 RF 开关提供了将发射和接收 RF 端口组合在一起的选项，用于时分双工 (TDD) 应用。
串行端口接口 (SPI) 可调整正交相位，以实现最佳边带抑制。此外，当不需要载波馈通优化时，SPI 允许关闭输出包络检波器，以降低功耗。
ADMV1128A 上变频器和下变频器采用紧凑的耐热性能增强型 6mm ×6.5mm 球栅阵列 (BGA) 封装。这种 BGA 封装能够从封装顶部对 ADMV1128A 进行散热，以实现最高效的散热。ADMV1128A 的工作温度范围为 −40°C 至 +95°C TC。
应用
毫米波 5G 应用
点对点微波射频
雷达和电子战系统
仪器仪表和自动测试设备 (ATE)
