--- 产品参数 ---
- 工作温度 85
--- 产品详情 ---
HMC7587 特性
转换增益: 10 dB(典型值)
镜像抑制: 30 dBc(典型值)
噪声系数: 6 dB(典型值)
针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率: -10 dBm(典型值)
输出三阶交调截点(IP3): -2 dBm(典型值)
输出二阶交调截点(IP2): 25 dBm(典型值)
RFIN上6倍LO泄漏: -40 dBm(典型值)
射频(RF)回波损耗: 10 dB(典型值)
本振(LO)回波损耗: 20 dB(典型值)
裸片尺寸: 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm
HMC7587 更多细节
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HMC7587是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)下变频器芯片,工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC7587在整个频段内提供10 dB小信号转换增益和30 dBc边带抑制性能。 该器件采用低噪声放大器,后接由6倍倍频器驱动的图像抑制混频器。
该镜像抑制混频器使得低噪声放大器之后无需使用滤波器。 可针对直接变频应用提供差分I和Q混频器输出。 或者,可利用外部90°混合型器件和两个外部180°混合型器件将输出合并,以实现单边带应用。 所有数据包括RF端口上3 mm宽线焊的效应以及中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。
HMC7587 应用
E频段通信系统
高容量无线回程
测试与测量
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