--- 产品参数 ---
- 工作温度 85
--- 产品详情 ---
CLF3H0060-10 宽带射频功率 GaN HEMT
CLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT 晶体管,可在 DC 至 6.0 GHz 频率范围内使用。该器件采用耐热增强型封装,支持连续波和脉冲应用。
CLF3H0060-10 特点和优点
- 10 W 通用宽带射频功率 GaN HEMT
- 高效率
- 低热阻
- 出色的坚固性
- 专为 DC 至 6.0 GHz 频率范围内的宽带运行而设计
- 50 V 能力 10 W GaN-SiC HEMT,采用气腔陶瓷封装,采用无与伦比的配置
- 通过易于应用的软件包提供灵活的性能
- 有关 RoHS 合规性,请参阅 Ampleon 网站上的产品详细信息
- ADS 和 MWO 中的大信号模型可在 Ampleon 网站上找到
CLF3H0060-10 应用领域
- 宽带战术通信
- 宽带对策
- 仪表放大器
- UHF、L 和 S 波段雷达
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