--- 产品参数 ---
- 耗散功率 32 W
--- 产品详情 ---
描述
Qorvo的TGA2623-CP是一款封装的高功率X波段放大器,采用Qorvo的TQGaN25 0.25 um GaN on SiC生产工艺制造。TGA2623-CP的工作频率范围为10至11 GHz,饱和输出功率为32 W,功率附加效率超过41 %,功率增益为27 dB。
TGA2623-CP采用10引脚15x15 mm螺栓固定封装,带铜基座,具有出色的热管理性能。它可以支持一定范围的偏置电压,在脉冲和连续波条件下均表现出色。两个RF端口均经过内部DC阻塞并匹配至50欧姆,便于系统集成。
TGA2623-CP非常适合商业和国防应用。
无铅且符合RoHS标准。
可应要求提供评估板。
特性
频率范围:10-11 GHz
Pout:45 dBm(PIN = 18 dBm)
PAE:》41%(PIN = 18 dBm)
功率增益:27 dB(引脚= 18 dBm)
偏置:VD = 28 V,IDQ = 290 mA,VG = -2.7 V典型值(脉冲:脉宽= 100 us,DC = 10%)
包装尺寸:15.2 x 15.2 x 3.5毫米
封装底座为纯铜,具有出色的热管理性能
为你推荐
-
HMC7357LP5GETR 一款三级GaAs pHEMT MMIC中等功率放大器2025-02-14 15:22
产品型号:HMC7357LP5GETR 工作温度:-40 ℃ ~ 85 ℃ 耗散功率:12.6 W 频率:5.5GHz ~ 8.5GHz -
HMC863LP4E 一款22GHz ~ 26.5GHz功率放大器芯片2025-02-14 14:19
产品型号:HMC863LP4E 工作温度:-55 ℃ ~ 85 ℃ 耗散功率(Max):2520 mW 频率:22GHz ~ 26.5GHz -
HMC263LP4E 一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA)2025-02-14 14:13
产品型号:HMC263LP4E 工作温度:-40℃ ~ 85℃ 耗散功率(Max):700 mW 频率:24GHz ~ 36GHz -
HMC618ALP3E 一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器2025-02-14 11:51
产品型号:HMC618ALP3E 工作温度:-40℃ ~ 85℃ 耗散功率:630 mW 频率:1.2GHz ~ 2.2GHz -
HMC1087F10 一款8W氮化镓(GaN) MMIC功率放大器2025-02-14 11:42
产品型号:HMC1087F10 工作温度:-55 ℃ ~ 85 ℃ 耗散功率:33 W 频率:2GHz ~ 20GHz -
HMC617LP3E 一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器2025-02-14 11:39
产品型号:HMC617LP3E 工作温度:-40 ℃ ~ 85 ℃ 耗散功率(Max):540 mW 频率:550MHz ~ 1.2GHz -
HMC376LP3E 一款0.7 - 1.0 GHz低噪声放大器SMT2025-02-14 11:35
产品型号:HMC376LP3E 工作温度:-40℃ ~ 85℃ 耗散功率:769 mW 频率:700MHz ~ 1GHz -
HMC453QS16GE 一款0.4 - 2.2 GHz 1.6 W功率放大器2025-02-14 11:29
产品型号:HMC453QS16GE 工作温度:-40℃ ~ 85℃ 耗散功率(Max):3800 mW 频率:400MHz ~ 2.2GHz -
HMC5805ALS6 一款GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器2025-02-14 11:23
产品型号:HMC5805ALS6 工作温度:-40 ℃ ~ 85 ℃ 耗散功率:2890 mW -
HMC992LP5E 一款IF模拟控制可变增益放大器2025-02-14 10:41
产品型号:HMC992LP5E 工作温度:-40℃ ~ 85℃ 耗散功率:3160 mW 频率:50MHz ~ 800MHz
-
功率器件的主要用途和应用场景有哪些?2023-08-31 15:05
-
XILINX FPGA简介-型号系列分类参考2023-03-10 16:22