--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**CJ3415-VB 详细参数说明:**
- **品牌:** VBsemi
- **型号:** CJ3415-VB
- **丝印:** VB2355
- **封装:** SOT23
- **类型:** P-Channel 沟道 MOSFET
- **电压等级:** -30V
- **电流等级:** -5.6A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源电压阈值(Vth):** -1V
**应用简介:**
CJ3415-VB 是一款 SOT23 封装的 P-Channel 沟道 MOSFET。具有负电压(-30V)和中等电流容量(-5.6A),适用于低功率电子模块。
**应用领域:**
1. **电源模块:** 用于低功率电源开关,例如便携式电子设备。
2. **电池管理:** 在电池保护电路中,实现对电池的开关控制。
3. **小功率开关电路:** 适用于小功率开关电路,如开关电源和逆变器。
**作用:**
- 提供低功率电源开关。
- 在电池管理电路中实现对电池的开关控制。
- 用于小功率开关电路,支持开关电源和逆变器。
**使用注意事项:**
1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的电压和电流限制,以免损坏器件。
2. **散热:** 在高功率应用中,可能需要适当的散热措施,确保器件在正常工作温度范围内。
3. **防静电措施:** 在处理和安装过程中采取防静电措施,以防止静电放电对器件造成损害。
以上为简要说明,具体的设计和应用需根据具体模块和电路要求进行。
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