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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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2311N-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

型号: 2311N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**产品型号:** 2311N-VB

**丝印:** VB2658

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大工作电压:-60V
- 最大电流:-5.2A
- 开启电阻:RDS(ON)=40mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=-2V

**封装:**
- 封装类型:SOT23

**详细参数说明:**
- **沟道类型(Channel Type):** 该产品采用P—Channel沟道,适用于负载在负电源下的应用。
- **最大工作电压(Maximum Operating Voltage):** 产品支持最大工作电压为-60V,适用于需要负电源的电路。
- **最大电流(Maximum Current):** 产品最大支持-5.2A电流,适用于中等功率需求的电路。
- **开启电阻(On-Resistance):** 在VGS=10V和VGS=20V条件下,开启电阻为40mΩ,表明产品在导通状态时具有较低的电阻,有利于电路效率。
- **阈值电压(Threshold Voltage):** 产品的阈值电压为-2V,这是沟道开始导通的电压。

**应用简介:**
该产品适用于SOT23封装,P—Channel沟道,特别适用于以下领域和模块:

1. **电源管理模块:** 由于产品支持负电源,可用于电源管理模块,确保电源效率和稳定性。

2. **电流控制模块:** 产品最大支持-5.2A电流,适用于需要对电流进行精确控制的模块,如电流控制驱动器。

3. **负载开关模块:** P—Channel沟道的设计使其适用于负载在负电源下的开关模块,如负载开关电源。

4. **功率逆变器模块:** 由于产品具有较低的开启电阻,可用于功率逆变器模块,提高逆变效率。

请根据具体的电路设计需求和应用场景,选择是否采用2311N-VB产品,并确保符合相关电气规范和要求。

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