2SJ166-T1B-A-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

参数说明：
- 产品型号: 2SJ166-T1B-A-VB
- 丝印: VB264K
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT23
- 类型: P—Channel沟道
- 额定电压: -60V
- 额定电流: -0.5A
- 静态电阻: RDS(ON) = 3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1.87V

应用简介：
2SJ166-T1B-A-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管，具有低静态电阻和适应性强的特点，适用于多种应用场景。

适用领域举例：
1. **电源管理模块**：由于其低电阻和适中的电流特性，可用于电源开关模块，有助于提高功率转换效率。
2. **信号放大器**：在一些低功耗信号放大器电路中，2SJ166-T1B-A-VB可以应用，增强信号放大效果。
3. **电流控制模块**：适合用于需要对电流进行精确控制的电路和模块，例如电机驱动控制。

这款产品的特性使其在各种电子设备中都能找到应用，有助于提高系统性能和效率。