**型号：** AAT8303ITS-T1-VB
**丝印：** VBA2311
**品牌：** VBsemi
**参数：**
- **沟道类型：** P—Channel
- **最大电压：** -30V
- **最大电流：** -11A
- **导通电阻：** RDS(ON) = 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压：** Vth = -1.42V
**封装：** SOP8
**详细参数说明：**
AAT8303ITS-T1-VB是一款P—Channel沟道功率MOSFET，具备卓越的性能参数。最大电压可达-30V，最大电流达到-11A。在VGS=10V和VGS=20V时，导通电阻（RDS(ON)）均为10mΩ，表现出优秀的导通特性。阈值电压Vth为-1.42V，具有在低电压条件下灵敏触发的特性。
**应用简介：**
AAT8303ITS-T1-VB适用于多个领域，主要包括但不限于：
1. **电源管理模块：** 具有低导通电阻和高电流能力，适用于设计高性能电源管理模块。
2. **电动汽车控制器：** 在电动汽车电子系统中，可以应用于电机控制器模块，提供可靠的功率开关。
3. **无线通信设备：** 作为无线通信设备的电源开关器件，可提供高效的电能转换。
**举例说明：**
AAT8303ITS-T1-VB可以广泛应用于无线充电模块，用于控制充电过程中的功率开关。其高电流能力和低导通电阻使其成为无线充电模块中的理想选择，提供高效、可靠的充电效果。
