--- 产品参数 ---
- 服务区域 全国
- 服务资质 CNAS认可
- 加急服务 可提供
- 报告类型 中英文电子/纸质报告
--- 产品详情 ---
基本介绍
功率器件可靠性是器件厂商和应用方除性能参数外最为关注的,也是特性参数测试无法评估的,失效分析则是分析器件封装缺陷、提升器件封装水平和应用可靠性的基础。广电计量拥有业界领先的专家团队及先进的失效分析设备,专注功率器件失效根因分析,可为客户提供完整的失效根因分析服务。
服务范围
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块
检测标准
GJB548B-2005微电子器件试验⽅法和程序
QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求
检测项目
试验类型 | 试验项⽬ |
⽆损分析 | X 射线透视、声学扫描显微镜、⾦相显微镜 |
电特性/电性定位分析 | 电参数测试、IV&CV 曲线量测、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 测试与三温(常温/低温/高温) 验证 |
破坏性分析 | 开封、去层、切片、芯片级切片、推拉力测试 |
微观显微分析 | DB FIB切片截⾯分析、FESEM 检查、EDS微区元素分析、扫描电镜、透射电镜 |
相关资质
CNAS
服务背景
国内功率器件厂商迎来了空前的发展机会。在成长中厂商迫切希望减少或消除产品失效,并在设计、⼯艺和产品研发、量产、可靠性测试、封装等阶段进⾏改进,以迅速占领市场。
我们的优势
广电计量拥有业界领先的专家团队及先进的失效分析设备,专注功率器件失效根因分析,可为客户提供完整的失效根因分析服务,针对产品的研发设计、来料检验、加⼯组装、测试筛选、客户端使用等各个环节,为客户提供失效分析咨询、协助客户开展设计规划、以及分析测试服务。
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