--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 N+P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号: AP4531GM-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数: N+P—Channel沟道,±60V;6.5/-5A;RDS(ON)=28/51mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1.9V;
封装: SOP8
详细参数说明:
- 通道类型: N+P—Channel
- 最大耐压: ±60V
- 最大电流: 6.5A (正向), -5A (反向)
- 开态电阻: RDS(ON)=28mΩ @ VGS=10V, 51mΩ @ VGS=20V
- 门极阈值电压: ±1.9V
应用简介:
AP4531GM-VB是一款多功能的N+P—Channel沟道功率MOSFET,具有优异的耐压和低开态电阻特性,适用于各种应用场景。主要应用领域包括但不限于:
1. 电源管理模块:用于开关电源、DC-DC变换器等模块中,提供高效的功率转换和稳定的电源输出。
2. 电机驱动器:适用于各类电机控制模块,如直流电机驱动器、步进电机控制器等,实现高效的电机控制和驱动。
3. 汽车电子系统:可用于汽车电动化系统中的电机驱动、电池管理、充电器等模块,提高车辆的动力性能和能源利用率。
举例说明:
- 在电源管理模块中,AP4531GM-VB可用于开关电源的功率开关和调节电路,确保稳定的电源输出。
- 在电机驱动器中,AP4531GM-VB可用于各种类型的电机驱动模块,如用于电动汽车的电机控制器,提供高效的电机驱动和控制。
- 在汽车电子系统中,AP4531GM-VB可用于电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块,提高车辆的性能和能源利用率。
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