--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个N—Channel沟
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号: AP9965GEM-VB
品牌: VBsemi
丝印: VBA3638
参数:
- 沟道类型: 2个N-Channel
- 最大电压: 60V
- 最大电流: 6A
- 开关电阻: RDS(ON) = 27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.5V
封装: SOP8
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/CA/wKgZomUJZRqAUqD5AAH3LrMhlc8771.png)
应用简介:
AP9965GEM-VB 是一款具有两个N-Channel沟道的功率MOSFET,具有适中的电压和电流特性,适用于多种功率控制和开关电路。
举例说明:
1. 电源管理: 该产品适用于电源开关模块、直流-直流转换器和电源逆变器,用于稳定和调节各种电子设备的供电。
2. LED照明: 在LED照明产品中,这种MOSFET可用于LED驱动电路、照明控制模块和调光器,提供高效的功率转换和灯光控制。
3. 汽车电子: 在汽车电子领域,该产品可用于车载电源管理、车灯驱动和电动汽车电机控制,支持汽车电子系统的稳定运行。
4. 工业自动化: 适用于工业机器人、自动化生产线和工厂设备控制系统,提供可靠的功率开关和电流控制,实现自动化生产过程的高效运行。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N