### 详细参数说明：
**型号：** BSH201-VB
**丝印：** VB264K
**品牌：** VBsemi
**封装：** SOT23
**参数：**
- 沟道类型：P—Channel
- 最大耐压：-60V
- 额定电流：-0.5A
- 导通电阻：RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth=-1.87V
### 应用简介：
BSH201-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel沟道型MOSFET，采用SOT23封装。具有-60V的最大耐压，-0.5A的额定电流，以及适度的导通电阻(RDS(ON))性能。阈值电压(Vth)为-1.87V，适用于多种电路控制需求。
### 适用领域和模块举例：
1. **电源管理模块：** 由于器件具有P—Channel沟道特性，可用于电源管理模块，例如稳压器和开关电源，以提供可靠的电源输出。
2. **电池保护模块：** -60V的最大耐压使其适用于电池保护模块，可用于防止电池过放电等问题，提高电池寿命。
3. **信号开关：** 适用于低功耗信号开关，例如在通信设备中，通过控制P—Channel MOSFET实现信号的开关与控制。
4. **电流源：** 在需要负载电流控制的应用中，BSH201-VB可用作P—Channel沟道的电流源，例如在仪器仪表中的一些电流源电路。
总体而言，BSH201-VB适用于多个领域，特别是在需要P—Channel沟道型MOSFET的电路中，能够提供可靠的性能。
