--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 N+P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号: CEM4309-VB
品牌: VBsemi
丝印: VBA5638
封装: SOP8
参数:
- N+P—Channel沟道
- 最大耐压: ±60V
- 最大漏极电流: 6.5A (N-Channel), -5A (P-Channel)
- 开启电阻: 28mΩ (N-Channel) @ VGS=10V, VGS=20V; 51mΩ (P-Channel) @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: ±1.9V
应用简介:
CEM4309-VB是一款多功能的N+P—Channel MOSFET,具有双沟道设计,适用于各种功率控制和电源管理应用。其高耐压、低开启电阻和双通道设计使其成为多种应用场景的理想选择。
示例应用:
1. H桥驱动器: CEM4309-VB可用于设计H桥驱动器,适用于直流电机控制、电动车电源系统等需要双向电流控制的场景。
2. 电源逆变器: 在太阳能逆变器和UPS等应用中,CEM4309-VB可用于设计高效的电源逆变器,实现直流到交流的转换。
3. 电池管理系统: 在储能系统和电动车电池管理中,CEM4309-VB可用于设计电池保护模块,包括过压、欠压和过流保护功能。
CEM4309-VB的多功能设计使其适用于多种领域,为设计人员提供了更大的灵活性和选择空间。
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