--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号: CEM8933-VB
丝印: VBA4338
品牌: VBsemi
详细参数说明:
- 构成: 2个P沟道MOSFET
- 最大电压: -30V
- 最大电流: -7A
- 开态电阻: RDS(ON) = 35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1.5V
封装: SOP8
应用简介:
CEM8933-VB是一款高性能的P沟道MOSFET组合器件,具有低开态电阻和负电压容忍特性。适用于多种领域和模块,例如:
1. 电源逆变器: 在太阳能逆变器、电动车充电器和电池管理系统中,CEM8933-VB可用于高效的电源逆变和电池充电控制。
2. 电动车辆: 适用于电动车辆中的驱动器、制动能量回收和电池管理系统,提高电动车的性能和能源利用效率。
3. 工业控制: 可应用于工业自动化设备、PLC控制系统和机器人控制器中,实现精准的电机控制和高效的能源管理。
4. 通信基础设施: 在通信设备的功率放大器、电源管理模块和射频前端模块中,提高通信设备的性能和可靠性。
5. 汽车电子: 在汽车电子系统中,可用于电动车辆的电池管理、电机控制和电源逆变器,提高汽车的性能和能效。
通过将CEM8933-VB应用于上述领域和模块,可以实现高效的能源管理、提高系统性能和稳定性,推动人类朝着超智能时代的黄金路径迈进。
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