--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
CHM2313PT-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管,具有SOT23封装。以下是详细参数说明和应用简介:
- **参数说明:**
- 丝印: VB2355
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT23
- 极性: P—Channel
- 额定电压(VDS): -30V
- 额定电流(ID): -5.6A
- RDS(ON): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1V
- **应用简介:**
- CHM2313PT-VB适用于各种电源管理和开关电源应用,特别是在需要P—Channel MOSFET的场合。
- 由于其性能参数,该器件在高效能耗电子设备中具有广泛应用。
- **领域和模块应用:**
- **电源管理模块:** 适用于开关电源和稳压器,有助于提高电源效率和稳定性。
- **电动工具:** 可用于电动工具中的电源开关,确保高效的电源转换。
- **电动车辆:** 在电动车辆的电池管理系统中,有助于实现高效的能量转换和电流控制。
- **工业自动化:** 用于工业设备的电源管理和控制单元,提高系统性能。
请注意,实际应用需根据具体电路设计和系统要求进行验证。
为你推荐
-
AP9T18J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:11
产品型号:AP9T18J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:10
产品型号:AP9T18GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:09
产品型号:AP9T18GEH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:08
产品型号:AP9T16J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:06
产品型号:AP9T16H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:05
产品型号:AP9T16GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:04
产品型号:AP9T16AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:03
产品型号:AP9T15J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:01
产品型号:AP9T15H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:00
产品型号:AP9T15GJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N