--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**DMN3050S-7 N-Channel MOSFET (SOT23)**
- **规格:**
- 丝印:VB1330
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23
- 类型:N-Channel 沟道
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- RDS(ON):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V
- **特性:**
- 小型SOT23封装,适用于有限空间的设计。
- N-Channel沟道类型,适用于增强型功率MOSFET。
- 低导通电阻(RDS(ON))以及高电流承载能力,提供高效能的性能。
- **应用简介:**
- DMN3050S-7适用于各种电源和功率管理应用。
- 在电源开关、稳压器、电池管理和DC-DC转换器等领域广泛应用。
- 由于其小巧封装和高性能特性,适用于要求小型化和高功率密度的电子模块。
- **典型应用领域和模块:**
1. **电源开关模块:** DMN3050S-7可用于设计紧凑型电源开关模块,提供高效且可靠的电源管理。
2. **DC-DC转换器:** 适用于构建DC-DC转换器模块,实现不同电压之间的高效转换。
3. **电池管理系统:** 在电池管理系统中,DMN3050S-7可以用于控制充电和放电过程,以及确保电池系统的高效运行。
这款DMN3050S-7 N-Channel MOSFET适用于要求高性能、小型化和高功率密度的电源和功率管理应用。
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